作为研磨抛光用途的材料，我们一般希望它是硬度大一点的，这样处理起材料来效率会比较高，我们可不期待它慢吞吞的去除材料中我们不想要的部分，天下武功唯快不破，“工作效率”可是很重要的。因此我们会使用金刚石（莫氏硬度10）、立方氮化硼、碳化硼、碳化硅，并还有α-氧化铝（莫氏硬度9）等高硬度材料来作为研磨抛光材料，高硬度的磨料让我们大家可以高效率对材料来研磨抛光处理。

  磨料的一个重要考量指标是“硬度”，但在一些特定的应用场合，磨料的其它指标也相当的重要，例如在精密光学器件，金相切片，电光晶体，硅晶片或其他半导体晶片，宝石，电子线路板、亚克力晶片等的最终抛光处理过程，为保证获得的“完美抛光”的制件，我们应该选用更高纯度、更小的粒径及更窄粒径分布的磨料粒子。

  高硬度的α-氧化铝和稍软的伽马氧化铝（摩氏硬度8）都可以用作抛光粉或悬浮液。α-氧化铝抛光粉通常能通过煅烧或者熔融氧化铝经过适当的粉碎、分级获得。相比于熔融氧化铝，煅烧氧化铝的颗粒尺寸及分布的可控性更强。尽管α-氧化铝凭借其高硬度、稳定性高等优点，已被大范围的应用于集成电路和玻璃基片等元器件的表面抛光，但由于煅烧氧化铝前驱体向α氧化铝转化时需要在1000℃以上的高温，在如此高温下，前驱体极易发生硬团聚，难以去除的大颗粒将会影响α氧化铝的粒度分布，进而影响抛光的精度。这些友强化学键结合的硬团聚一般外力难以打开，需要经过特殊工艺处理才能减少或消除。此外，由于α氧化铝晶格能大，硬度大，无论是振动磨、球磨还是气流磨大多只能打开原晶的聚合体，很难破坏其原晶结构，所以如需制取粒度要求严格的α氧化铝粉体，在焙烧过程对原晶大小的工艺控制就很关键了。目前在许多产品介绍中，我们大家可以看到在特定的工艺条件下制取的煅烧氧化铝粉体，其去除团聚后其平均粒径可达0.3μm左右。

  反观γ-氧化铝，尽管它硬度稍小，但由于其转化温度较低，因此其粒径也能做到非常的小，而且伽马氧化铝的粒度分布也能做到非常的窄，因此γ-氧化铝能应用于一些非常精细的抛光要求场景，在许多厂家的介绍资料中，我们大家可以知道γ氧化铝悬浮抛光液平均粒径能做到0.05μm。0.05μm的氧化铝悬浮液既可以单独作为机械抛光液使用，也能配合0.05μm的二氧化硅制备成悬浮混合物，用于化学机械抛光应用场合，添加了γ氧化铝的化学机械抛光液与普通的硅溶胶相比，其抛光效率更高 。

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